我國晶片技術、第四代核武器獲重大突破 網友：強國是研發出來的

近年來，我國社會科技創新意識明顯增強，技術立國、科技強國觀念深入人心，國家整體科技研發投入明顯加大。一大批重要關鍵技術獲得突破，帶動了國家經濟的快速發展，國家整體實力和國人自信心顯著增強。

中國光刻機領域研發獲重大突破

ASML光刻機

前不久，一支清華團隊宣佈，他們成功研製出了光刻機雙工件臺，這一重大突破，讓中國一舉成為世界第二，雙工件臺之前日本都沒有研究出來，目前也只有荷蘭纔有。雙工件臺簡單來說，就是生產晶片的流水線，擁有了雙工件臺，生產晶片的速度是普通單工件臺的3倍甚至更多。

中芯國際

中芯國際14納米FinFET技術開發獲得重大進展

中芯國際聯席執行長趙海軍博士和梁孟鬆博士表示，中芯處於蓄勢過渡時期。在推進技術，建立平臺和構築合作關係上已看見令人鼓舞的初步進展。中芯國際在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。第一代FinFET技術研發已進入客戶匯入階段。除了28納米PolySiON和HKC，中芯國際28納米HKC+技術開發也已完成。28納米HKC持續上量，良率達到業界水平。

長江儲存推出全新3D NAND架構: XtackingTM

2018年8月7日，長江儲存公開發布其突破性技術——XtackingTM。該技術將為3D NAND快閃記憶體帶來前所未有的I/O高效能，更高的儲存密度，以及更短的產品上市週期。

長江儲存推出全新3D NAND架構: XtackingTM

長江儲存CEO楊士寧博士表示：「目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。」XtackingTM技術將外圍電路置於儲存單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的儲存密度。長江儲存已成功將Xtacking TM技術應用於其第二代3D NAND產品的開發。

中國第4代核武器取得重大突破

據報道，最近中國在第4代核武器領域取得了重大突破，離實戰化部署又近一步。專家介紹，第4代核武器爆炸後幾乎不會產生汙染。據悉，第四代核武器採用全新的設計，體量更小，威力卻增加了許多。爆炸後不會造成很嚴重的後期影響，比如輻射汙染都會很快消散。中國在第4代核武器上走的是與美國截然不同的道路，美國走的是金屬氫，而中國走的是金屬氮。

核爆

對於上述我國在關鍵領域取得的突破，有網友表示：強國不是空喊口號，是腳踏實地幹出來的，是研發出來的。確實如此，現在科技實力已成為一國綜合實力的關鍵所在，經濟實力、武器裝備均與科技實力密切相關。可以預期，隨著我國各領域研發投入的不斷加大，未來我們還將取得更多的突破。