PingWest品玩5月24日報道,昨天的Samsung Foundry Forum論壇上,三星直接宣佈了5/4/3nm工藝技術。
其中,5nm LPE工藝相較於7nm LPP,會進一步縮小晶片核心面積,帶來更低的功耗。
4nm LPE/LPP將會成為三星最後一次在晶片上使用FinFET技術,進步壓縮芯片面積。
PingWest品玩5月24日報道,昨天的Samsung Foundry Forum論壇上,三星直接宣佈了5/4/3nm工藝技術。
其中,5nm LPE工藝相較於7nm LPP,會進一步縮小晶片核心面積,帶來更低的功耗。
4nm LPE/LPP將會成為三星最後一次在晶片上使用FinFET技術,進步壓縮芯片面積。