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韓媒報導，紫光集團正在與英特爾合作，認真開發3D NAND閃存芯片。 由中國政府巨額資金支持的紫光集團與英特爾聯手，英特爾在內存芯片方面擁有技術。
根據DRAMeXchange和業內人士3月2日的消息，中國的紫光集團和英特爾正在討論如何共同合作，長期開發和生產3D NAND技術。
DRAMeXchange 1日發布報告稱：”根據該合同，英特爾決定首先提供用於NAND閃存芯片的晶圓，然後再提供64層3D NAND閃存芯片。在英特爾的支持下，紫光集團的產品不僅能夠提高其在 銷售方面的競爭力，還能提高其在市場上的品牌知名度。”
紫光集團和英特爾公司是能夠創造出顯著的資本和技術協同效應的領導者。 紫光集團是中國政府計劃投資1萬億元人民幣（1575.3億美元）的最大受益者，以便到2025年將半導體自給率提高到70%。 紫光集團的NAND工廠已經建成投資240.1億美元，將從今年年底開始生產32層3D NAND閃存芯片，並擴大設施，明年將大幅增加產量。
在SK Hynix之後，英特爾在NAND芯片市場的份額排名第六。 該公司去年通過恢復內存芯片業務20年來首次進入市場，但技術水平高。 該公司已與12年的NAND閃存市場份額排名第四的美光科技公司合作，並從去年開始生產64層3D NAND閃存芯片。 英特爾目前正在開發96層3D NAND芯片。
一些市場觀察人士表示，從今年年底開始生產32層3D NAND芯片的韓國存儲器芯片生產商與中國同行之間的技術差距為三年。 這是因為三星電子公司已於2014年8月首次在全球範圍內批量生產32層3D NAND芯片，其中2015年8月為48層，而2016年12月為64層。 更高層和細胞堆積的3D NAND芯片，他們需要更高的技術水平。 因此，單靠時間和精力不能縮小技術差距。
但是，通過與英特爾的合作，中國有望迅速縮小技術差距，威脅包括三星電子在內的韓國內存芯片製造商。 中國將能夠提前發布高性能3D NAND產品，因為它預計將推出兩至三年的低端產品。 市場研究公司Market Realist表示：”中國與英特爾的合作關係可能導致供應過剩並危及整個NAND閃存產業生態系統。”半導體行業的一位官員表示：”三星電子和SK海力士正在關注由於競爭對手的NAND 擴張，市場狀況可能會變得更糟。這可能會增加全球投資銀行業界的觀點，即NAND芯片的價格將大跌。”
除英特爾之外，中國還在尋求與日本東芝公司建立技術合作關係。 東芝需要獲得中國反壟斷監管機構的批准，才能將其存儲芯片單元出售給由貝恩資本LP領導的財團，其中包括SK海力士。 所以，中國正在利用這一點與東芝做出一種處理。 業內人士認為，中國正在向東芝提供技術合作或產品供應的先決條件。